铠侠发布第10代NAND存储器，性能提升30%

　　日本铠侠控股于2月20日宣布成功开发出第10代NAND存储器。这款新产品在性能上实现了重大突破，引起了行业内外的广泛关注。

　　铠侠第10代NAND存储器的层数达到了332层，相较于第8代的218层有了显著增加。这一提升直接带来了存储容量的大幅提升，单位面积的存储容量提高了59%，能够满足日益增长的大数据存储需求。在数据传输速度方面，第10代NAND存储器实现了33%的提升，读取数据时的电力效率也得到了明显改善。

　　此外，在输入数据时，电力效率提高了10%，输出时提高了34%。这些改进对于追求高效能与低功耗的数据中心，尤其是面向人工智能（AI）的数据中心而言，具有极大的吸引力，预计将获得大量需求。

　　在发布会上，铠侠不仅宣布了第10代产品的开发成果，还透露正在开发第9代产品。第9代产品采用了独特的技术组合，存储元件的性能沿用现有技术，而读写性能则采用新一代技术。这种两代产品并行开发的策略，体现了铠侠对市场的精准把握。第10代产品凭借其卓越的性能，满足高端市场对高性能存储产品的需求；第9代产品则以更具性价比的优势，覆盖更广泛的市场，满足不同客户群体的需求。