三星高管亲赴英伟达，展示基于最新1b DRAM的HBM样品

　　据韩国媒体Thelec报道，三星半导体高管全永铉上周访问英伟达总部，展示了基于最新1b DRAM的HBM样品。此前，三星因1b DRAM的良率与过热问题，未能及时获得英伟达的HBM3E订单。

　　据悉，三星曾宣布1b DRAM制程的DDR5内存量产与开发成功，但面临良率挑战。英伟达因此要求三星改良设计。传闻三星计划使用1a DRAM制造HBM3E，并跳过1b DRAM制程，采用1c DRAM制造HBM4。

　　今年1月，三星透露改良版HBM3E进展顺利，将于第二季供货。此次全永铉亲自展示样品，或为确保赢得英伟达订单。目前，竞争对手SK海力士与美光已向英伟达供应HBM3E。

　　英伟达CEO黄仁勋在CES展上曾表示，三星需重新设计HBM才能通过认证。此次三星的展示，或为回应此需求，展现其在HBM技术上的最新进展。

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