三星西安工厂计划引进新设备

　　三星电子正在对其中国西安工厂进行重大技术升级，将生产线）NAND闪存工艺升级到最新的286层（V9）工艺。这一举措旨在应对当前市场的低迷需求，并抵御来自中国半导体公司的激烈竞争。

　　三星计划在2024年上半年引进新设备，并在下半年建立每月产能为2000至5000片晶圆的286层NAND生产线。

　　西安工厂是三星唯一的海外存储生产基地，占其全球NAND总产量的40%，对三星的全球供应链至关重要。此次升级预计将显著提升该工厂的生产能力，进一步巩固三星在全球存储芯片市场的领先地位。2023年，美国拜登政府授予三星“经过验证的最终用户（VEU）”许可，允许其在中国生产超过200层的NAND闪存，这一许可为三星在中国使用先进制造工艺提供了保障。

　　业内人士指出，三星在韩国国内扩展先进NAND工艺的同时，也在升级其在中国的NAND工艺，这种双重策略凸显了三星在全球范围内保持竞争优势的决心。此外，三星还计划从2024年下半年开始，在韩国平泽P1工厂量产400层（V10）NAND闪存，并可能在2025年下半年实现初步量产。