英飞凌推20微米超薄矽功率晶圆，能效大幅提升

　　英飞凌科技再次突破半导体技术，推出全球最薄的20微米矽功率晶圆。此晶圆厚度仅为人发丝的几分之一，是目前最先进晶圆厚度的一半。

　　英飞凌CEO表示，这项技术突破展现了公司致力于通过推动半导体技术发展为客户创造非凡价值的决心。它标志着英飞凌在节能功率解决方案领域的重要一步，有助于充分发挥全球低碳化和数码化趋势的潜力。

　　这款超薄晶圆将大幅提高AI数据中心、消费、马达控制和运算应用中功率转换解决方案的能源效率、功率密度和可靠性。由于晶圆厚度减半，基板电阻降低50%，电源系统中的功率损耗可减少15%以上。

　　对于高端AI服务器应用，超薄晶圆技术促进了基于垂直沟槽MOSFET技术的垂直功率传输设计，实现了与AI芯片处理器的高度紧密连接，提高了整体效率。

　　20微米晶圆制程以英飞凌现有制造技术为基础，能无缝整合到现有大批量硅片生产线中，不增加制造成本，保证产量最大化和供应安全。该技术已获客户认可，并被应用于整合智能功率级中，拥有强大的专利组合，进一步巩固了英飞凌在市场上的独特地位。

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