烁科晶体成功研制12英寸碳化硅衬底

　　据中国电子材料行业协会消息，烁科晶体于12月26日成功研制出全球首片12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同时成功研制出12英寸N型碳化硅单晶衬底。

　　烁科晶体在研制过程中，成功攻克了大尺寸扩径工艺、高纯半绝缘碳化硅衬底关键工艺以及低缺陷N型衬底的生长工艺。

　　此次全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底的成功研制，不仅标志着烁科晶体在碳化硅材料领域的技术实力达到了国际领先水平，同时也将进一步加速碳化硅材料在VR眼镜、热沉等新应用场景的拓展。

　　今年以来，国内已有多家企业在超大尺寸碳化硅晶锭/衬底的研发方面取得了显著成果。其中，天岳先进发布了业内首款300mm碳化硅衬底产品，博雅新材在semicon展会上首次展示了12英寸的SiC晶锭，同光股份则推出了10英寸碳化硅衬底作为未来的产品迭代技术储备。