博世获美商务部补助，将改建加州SiC半导体厂

　　美国商务部与德国汽车零组件巨头博世达成初步协议，将提供最高2.25亿美元的补助，并提议额外提供约3.5亿美元政府补助，以支持博世在加州罗斯维尔的碳化矽（SiC）功率半导体厂改建计划。

　　据路透报道，博世计划投资19亿美元，将该工厂改建成SiC生产基地，预计2026年以8寸晶圆生产芯片。SiC芯片是汽车、电信和国防工业的关键组件，具有高效能，有助于提升电动车续航和充电效率。

　　商务部指出，博世改建后的半导体厂将占据全美SiC芯片产能的40%以上。这笔补助资金来源于2022年的《芯片与科学法案》，旨在推动美国半导体产业的生产与研究。

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