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博世获美商务部补助,将改建加州SiC半导体厂
时间:2024-12-17 10:26
美国商务部与德国汽车零组件巨头博世达成初步协议,将提供最高2.25亿美元的补助,并提议额外提供约3.5亿美元政府补助,以支持博世在加州罗斯维尔的碳化矽(SiC)功率半导体厂改建计划。
据路透报道,博世计划投资19亿美元,将该工厂改建成SiC生产基地,预计2026年以8寸晶圆生产芯片。SiC芯片是汽车、电信和国防工业的关键组件,具有高效能,有助于提升电动车续航和充电效率。
商务部指出,博世改建后的半导体厂将占据全美SiC芯片产能的40%以上。这笔补助资金来源于2022年的《芯片与科学法案》,旨在推动美国半导体产业的生产与研究。