SK海力士采用3nm工艺生产HBM4，强化与NVIDIA合作

　　SK海力士决定采用3纳米工艺生产明年下半年量产的定制化HBM4，全力进军美国市场。这一决策意味着公司将专注于开发和量产符合NVIDIA和Google等美国AI加速器公司需求的最佳规格产品，同时放弃低性能HBM市场。

　　随着美国对华HBM出口禁令的实施，三星电子也在努力通过提升HBM4性能吸引美国客户。预计SK海力士与三星电子在HBM4技术开发上的竞争将加剧。

　　SK海力士选择采用定制化的3纳米和通用化的12纳米工艺生产与台积电共同开发的第6代HBM（HBM4）基础芯片。这一选择基于3nm工艺相较于5nm工艺能提升20-30%的性能。苹果和Nvidia的最新半导体产品已采用台积电3nm工艺量产。

　　SK海力士此举是为了满足NVIDIA等客户的需求，NVIDIA是SK海力士产品的主要采购商。在NVIDIA要求提前供应HBM4后，SK海力士加快了生产步伐，计划通过提供高性能定制HBM来加强与NVIDIA的合作关系。

　　预计明年下半年，定制化HBM4市场的竞争将更加激烈，内存厂商之间的性能竞争也将升级。SK海力士正在巩固与台积电和NVIDIA的联盟，以保持领先地位。

　　定制HBM市场是存储器公司间的主要战场。SK海力士和三星电子均将定制化HBM作为抢占AI存储器市场的关键。三星电子已决定采用4nm工艺进行定制化HBM，而SK海力士采用3nm工艺的决定可能会促使三星电子也采用台积电的3nm工艺进行反击。