SK海力士闪存，突破300层

　　11月21日，SK海力士宣布，已开始量产全球最高的321层堆栈1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND Flash闪存。SK海力士表示：“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过300层的NAND闪存，突破了技术界限。”“计划从明年上半年起向客户提供 321 层产品，由此应对市场需求。”据介绍，在此次产品开发过程中，SK海力士采用了高效的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。另外，SK海力士也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层，从而最大限度地减少工艺切换的任何影响，与上一代相比，其生产效率提升了59%。与上一代相比，321层NAND闪存的数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%，数据读取能效也提高了10%以上。


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