据韩媒The Guru援引中国国家知识产权局(CNIPA)数据报道,SK海力士与铠侠联合开发的一项碳基半导体选择器技术已在中国获得专利批准,专利号为CN119866175A。该技术涉及一种采用碳层的新型选择器结构及其制造方法,能够显著提升存储器元件的性能。
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