在半导体制造领域的激烈竞争中,三星电子于 3 月初有了新动作。其在韩国华城园区引入了一台价值高达 5000 亿韩元(约合 25.01 亿元人民币)的 ASML“高数值孔径(NA)极紫外(EUV)光刻设备(High NA EUV)”——EXE:5000。
自去年起,三星电子就对 High NA EUV 设备展开了工艺应用评估。此次引入,是为了将其应用于 2nm 以下的下一代半导体工艺。因为 High NA EUV 对于实现 2nm 以下超精细电路至关重要,是提升半导体制造工艺精度的关键设备,这一举动也被看作是三星提升 2nm 以下工艺成熟度的重要策略。
当下,全球半导体行业竞争激烈,各大巨头都在积极布局先进工艺。英特尔已经签署购买六台 High NA EUV 设备的合同,其中首台已于 2023 年交付;台积电也引入了该设备,加速推进 2nm 工艺的研发和生产。
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