DRAM的EUV路线之争：美光保守、三星激进

　　美光2月底宣布出货第六代DRAM样品，采用与三星、SK海力士不同的设计与制造方式。韩国业界认为，美光在EUV制程导入上较为保守，或将成为DRAM三巨头未来竞争的关键。

　　美光策略是最小化EUV使用，最大化利用既有ArFi设备，以加快量产速度。而三星、SK海力士则计划增加EUV导入层数。短期内，美光量产速度可能更快，但中长期来看，三大业者在芯片良率及生产效率上将有差异。

　　美光仅在部分制程中使用EUV，表示技术尚未完全稳定。三星则早在2020年导入EUV，预计1c DRAM将在5个层以上使用。SK海力士态度较谨慎，但在1c DRAM中也可能于5个层以上导入EUV。

　　韩国业界分析，美光长期依赖ArFi，可能导致制程步骤增加，拖累芯片良率。进入大规模量产时，拥有多年EUV经验的三星、SK海力士或将在良率与产量上具有优势。

　　三星拥有逾30台EUV设备，正针对EUV制程进行调整，并成立专门任务小组，聘请英特尔专家提升良率，优化EUV大规模量产体系。

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