密歇根大学耐高温SiC项目获750万美元资助

　　美国密歇根大学（UM）领导的一项耐高温碳化硅（SiC）项目近日获得了高达750万美元的资助。该项目旨在将SiC制成的耐热传感和计算芯片推向市场，应用于先进飞机、电动汽车、可再生能源、国防和太空探索等领域。资助方为Silicon Crossroads Microelectronics Commons Hub，初始资金为240万美元，预计三年内总资助额可达750万美元。

　　SiC因其卓越的耐高温性能而备受关注。NASA格伦研究中心的工程师多年来一直在研究SiC的潜力，并成功开发出可在-190°C至812°C极端温度范围内运行的封装器件。此次密歇根大学的项目将与NASA合作，将这些技术扩展到现代晶圆尺寸，并简化SiC芯片设计，使其更适合商业化应用。

　　项目合作伙伴包括GE航空航天研究公司、Ozark Integrated Circuits（Ozark IC）和半导体制造商Wolfspeed。其中，GE航空航天将与NASA合作扩展高温SiC JFET制造工艺；Ozark IC将支持封装、集成和商业化；Wolfspeed则提供SiC晶圆并参与商业化设计。

　　密歇根大学的研究团队将改进和标准化工艺开发套件和晶体管模型，创建常用电路模块库，使SiC技术更易于被集成电路设计人员使用。该项目还将开发先进的精细模型和开源电子设计自动化（EDA）软件，以加速模拟和混合信号电路的设计。

　　项目的成功实施将为航空航天和高超音速飞行器等领域带来重大变革。与传统硅基电子设备相比，SiC电子器件能够在更高温度下工作，无需复杂的冷却系统，从而实现更轻的重量和更简单的系统架构。这一技术的突破有望推动航空航天、国防和极端环境应用的进一步发展。