中国政府的“旧换新”政策刺激了消费，使供过于求的成熟制程存储器市场价格有望提前反弹。然而，随着中国半导体技术和产能的快速追赶，韩国业界担忧短期内存储器价格可能再次下跌。
数据显示，中国春节期间手机和家电销量大幅增长，推动DRAM和NAND Flash产品价格出现反弹迹象。韩国KB证券指出，存储器模块库存已大幅减少，价格回归平稳。
然而，中国加速半导体发展使得存储器价格上涨不会持续太久。若中国业者继续扩大产能，存储器价格可能再次下降，韩国存储器市场面临不确定性。
为此，韩国业界需加速培养高附加价值产品竞争力，如高带宽存储器（HBM），以拉大与中国的差距。集中投资和研发成为首要之务。
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