全球首款，泛林集团推出金属钼原子层沉积设备ALTUS Halo

　　2月19日，泛林集团宣布推出全球首款金属钼原子层沉积设备——ALTUS Halo。该设备专为尖端半导体制造设计，提供卓越的特征填充与低电阻率、无空隙的钼金属化沉积，标志着半导体金属化技术的新纪元。

　　ALTUS Halo作为ALTUS系列的最新力作，正与各大芯片制造商紧密合作，进行资格认证与量产准备。它不仅是半导体金属化技术的转折点，更为未来AI、云计算及智能设备的高级存储与逻辑芯片扩展铺路。

　　随着下一代应用性能要求的提升，对先进半导体及制造工艺的需求日益迫切。泛林集团凭借深厚的金属化专业知识，通过ALTUS Halo实现了从钨到钼的技术过渡，引领行业变革。

　　钼因其低电阻率及无需粘附层或阻挡层的特性，成为未来芯片制造的理想选择，可显著提升芯片速度与效率。

　　ALTUS Halo已投入量产，其精确的钼沉积技术针对多种金属化需求进行优化，支持温度敏感应用的保形或选择性沉积，并具备自下而上的填充能力。

　　目前，韩国与新加坡的领先3D NAND制造商及逻辑晶圆厂已率先采用，DRAM客户的开发工作也在积极推进中。