ROHM量产650V耐压GaN HEMT，采用小型高散热TOLL封装

　　ROHM已量产650V耐压GaN HEMT「GNP2070TD-Z」，采用TOLL封装，体积小且散热性能出色。该产品由半导体后段制程供应商ATX生产，旨在满足大功率应用对小型化和高效率化的需求。

　　ROHM于2023年量产了第一代650V耐压GaN HEMT，并随后推出了Power Stage IC。此次，ROHM在DFN8080封装基础上，强化了650V GaN HEMT的封装阵容，内建了第二代GaN on Si芯片，性能达到业界顶级水平。

　　新产品有助于电源系统实现节能和小型化，已于2024年12月量产，并通过电商平台销售。ROHM与台积电和ATX合作，前段制程在台积电生产，后段制程在ATX生产。ROHM还计划与ATX合作生产车载GaN元件，预计2026年起加速普及。

　　ATX董事兼总经理廖弘昌表示，ROHM拥有先进的制造技术，很高兴与其合作。双方于2017年开始技术交流，并探讨深入合作的可能性。