半导体产业持续遵循摩尔定律发展，但面临技术与材料的物理极限。当前互连技术主要依赖铜线，然而尺寸缩小导致电阻增大，影响数据传输与能耗。
为解决这一问题，业界正探索以导电导热性能卓越、韧度超钻石的石墨烯取代铜线。
据IEEE Spectrum报道，石墨烯沉积高温需求与CMOS制程不兼容，且电荷载子密度低，限制了其应用。
然而，加州新创公司Destination 2D成功克服这些障碍，展示了在030度下利用CMOS技术将石墨烯沉积到芯片上的技术，镍并开发出掺杂石墨烯薄片使电流密度达铜100倍的方法。
该公司采用的技术是先在芯片上放置保护膜，再将碳置于其上，施以高压让碳穿过保护膜形成多层石墨烯。移除镍膜后，石墨烯即可留在芯片上。
此外，通过嵌入技术将掺杂原子扩散到石墨烯片间，提升电流密度，且不会因尺寸缩小而电阻增加。
石墨烯的这一突破有望打破摩尔定律极限，为半导体产业创新提供新方向。
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