博世获美政府2.25亿补贴

　　近日，美国拜登政府宣布了一项决策，美国商务部已与全球领先的汽车供应商博世签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），旨在根据《芯片与科学法案》向博世提供高达2.25亿美元的直接补贴资金。这笔资金将助力博世在加州罗斯维尔的制造工厂进行19亿美元的投资改造，专注于生产碳化硅（SiC）功率半导体。

　　博世在汽车行业的半导体业务一直保持着差异化竞争优势，特别是在沟槽栅极SiC半导体领域，更是处于领先地位。此次在加州罗斯维尔生产的SiC器件，对于提升电动汽车的驾驶和充电效率至关重要。一旦项目满负荷生产，预计博世的SiC半导体产能将大幅提升，甚至可能占据美国SiC器件制造产能的40%以上，这无疑将巩固博世在全球半导体市场的领先地位。

　　据悉，博世计划从2026年开始在罗斯维尔工厂生产首批200毫米晶圆芯片，该工厂将涵盖前端设备制造和后端测试、分类和切割工艺，形成完整的生产链。此外，博世还承诺为工厂员工和建筑工人提供价格合理、质量上乘的托儿服务，并推出了一款新的导航工具，帮助他们找到高质量的托儿服务。

　　除了直接补贴资金外，博世还将申请美国财政部的先进制造业投资抵免（CHIPS ITC），该抵免额占合格资本支出的25%。此外，根据PMT，芯片法案计划办公室还将向博世提供约3.5亿美元的拟议贷款，这是《芯片与科学法案》提供的750亿美元贷款授权的一部分。