SK海力士采用3nm工艺开发HBM4，预计明年3月推出原型

　　据报道，SK海力士为满足主要客户对高性能存储器的需求，已经开始采用3nm工艺技术生产定制版HBM4，并计划于2025年下半年向英伟达供货。此前，SK海力士原计划使用5nm工艺来定制HBM4。SK集团董事长崔泰源透露，英伟达CEO曾要求提前六个月供应HBM4芯片，SK海力士表示这一要求是可行的。

　　SK海力士原计划在2025年下半年量产12层HBM4，核心芯片采用1b DRAM技术，量产逻辑芯片则采用台积电的5nm和12nm工艺。目前尚不清楚这一新工艺是否会改变SK海力士之前宣布的生产计划。报道还指出，SK海力士最早可能在明年3月推出基于3nm工艺的HBM4原型，相比5nm工艺，3nm工艺的HBM4性能预计可提升20-30%。

　　对于通用版的HBM4和HBM4E，SK海力士将继续与台积电合作，采用12nm工艺技术。最近有消息称，三星电子和SK海力士正在为特斯拉开发通用版HBM4芯片原型，预计在完成测试样品后，特斯拉将从中选择一家作为其HBM4供应商。