中国HBM发展加速，DDR5市场或受波及

　　国际DRAM大厂正积极扩充HBM产能，此举将影响DDR5的产能供应。同时，美国对HBM的出口限制也促使中国存储器供应链加速发展HBM技术。然而，中国HBM技术仍处于起步阶段，良率问题可能冲击DDR5市场，引发价格乱流。

　　长鑫存储等中国企业正致力于发展本土化的HBM产品，但技术门槛高，良率仅约30~40%。若能提高良率，最快在2025年底至2026年有望进入量产阶段。

　　尽管HBM良率不佳，但市场需求旺盛，价格不断攀升。在国内政策扶植下，即使良率不高，只要产品开发成功，国内市场需求仍有保障。

　　然而，在HBM发展的过渡期间，由于与DDR5的前段IC制程重叠，大量投入晶圆生产可能导致DDR5供应快速流向终端市场，对DDR5消费性应用市场造成冲击。同时，随着DDR4陷入低价竞争，DDR5价格难以提升，整体市场价格呈现跌势。

　　展望2025年，三大DRAM厂将全力扩充HBM产能，这将进一步排挤DDR5的供应量。然而，云端业者能否持续投资，以及生成式AI的变现能力将考验市场走向。

　　尽管HBM价格坚挺，但传统DRAM市场或将呈现截然不同的局面，从2024年第4季开始逐季跌价。存储器模块业者对于DDR5能否免于次级品扰乱的冲击深感忧心。