杭州镓仁半导体成功制备2英寸N型单晶

　　2024年10月，镓仁半导体成功实现了直拉法2英寸N型氧化镓单晶的生长，并制备出了2英寸晶圆级N型(010)晶面氧化镓单晶衬底。

　　镓仁半导体自成立以来，一直专注于氧化镓等宽禁带半导体材料的研发、生产和销售。通过持续的技术创新和工艺革新，公司成功解决了(010)晶面衬底加工技术难题，成为国际上首个也是目前唯一的2英寸(010)晶面衬底产品供应商。

　　镓仁半导体在2英寸UID和半绝缘直拉法晶锭的中试阶段，通过提高放肩和等径生长的稳定性，实现了一次成晶的技术。这一技术突破克服了Sn掺高挥发的缺陷，成功制备出了导电型氧化镓单晶。导电型衬底的制备不仅满足了氧化镓产业发展的迫切需求，更为公司未来的商业化进程奠定了坚实的基础。