聚焦 美光开始量产HBM3E高带宽内存 时间:2024-02-27 08:58 美光科技2月26日宣布开始量产HBM3E高带宽内存。美光称,其HBM3E的功耗将比竞争对手的产品低30%。美光的HBM3E将应用于英伟达下一代AI芯片H200 Tensor Core GPU。 上一篇:消费基础设施REITs发展进程加快,有望激发更多消费活力 下一篇:欣旺达制定质量回报双提升行动方案:深耕锂电池行业二十余年