广东芯粤能成功研发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台

　　据长三角国际半导体博览会消息，广东芯粤能半导体有限公司（简称“芯粤能”）近期宣布，经过近两年的技术研发与测试，公司已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。这一平台采用芯粤能自主研发的沟槽MOSFET结构，具备显著降低比导通电阻、提高电流密度等优势，同时有效突破了平面MOSFET性能提升的瓶颈，大幅提升了芯片性能并降低了成本。