长江存储发布晶栈4.0架构，闪存密度与性能大幅提升

　　在2025年闪存市场峰会上，长江存储首次揭开了其最新的晶栈4.0闪存架构，展现出显著的技术突破。此架构标志着长江存储在存储密度、性能和功耗上的全面提升。

　　晶栈4.0不仅将TLC（Triple-Level Cell）闪存的单颗密度提升至同类产品的最高水平，而且其QLC（Quad-Level Cell）产品的单颗容量更是达到了惊人的2TB，这意味着每颗闪存颗粒的存储能力翻倍。对于大容量存储需求的市场，晶栈4.0无疑提供了更具竞争力的解决方案。

　　此代架构继承并改进了以往的背面源极连接技术，采用混合晶圆键合结构和20孔垂直通道设计，生产效率和产量得到了有效提升。相比前代产品，晶栈4.0的TLC闪存密度提升了48%，IO速度也增长了50%，使得数据传输更为快速流畅。

　　此外，晶栈4.0的QLC闪存产品X4-6080，单Die容量达到了2TB，耐久性提高了33%，吞吐量更是增加了147%。这一进步为消费者带来了更为稳定和高效的存储体验。

　　值得注意的是，长江存储与多个第三方主控合作，已经在市场上推出兼容性强的解决方案，支持从PCIe 4.0到PCIe 5.0的多种接口。尽管当前堆叠层数尚未透露，但业内已有大厂如三星、SK海力士等在层数上不断追赶，展现出技术进步的全球趋势。