扬杰科技中央研究院正式获批成为省级重点实验室,这是对其在半导体功率电子领域研发实力和创新能力的高度认可。该实验室的成立聚焦于功率半导体产业的关键技术难题,旨在通过产学研深度融合,推动我国功率半导体产业的高质量发展。
扬杰科技中央研究院按照国内一流电子实验室标准建设,总建筑面积达5,000平方米,涵盖可靠性实验室、失效分析实验室、模拟仿真实验室和综合研发实验室四大功能区。实验室已通过中国合格评定国家认可委员会(CNAS)认证,具备芯片设计模拟仿真、环境测试、物理化学失效分析以及产品电、热、机械应力模拟仿真等多项功能,技术水平在国内处于领先地位。
实验室整合了扬杰科技在SiC、GaN、IGBT、MOSFET、二三极管芯片等多个领域的研发团队,形成了强大的技术创新能力。此外,扬杰科技还与东南大学共建“宽禁带功率器件技术联合研发中心”,专注于第三代半导体的研发及产业化。此次获批省重点实验室后,研究院将进一步推动公司在高端功率半导体器件领域的技术创新,特别是在SiC、IGBT等关键产品上实现技术突破。
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