SK海力士HBM4技术取得突破，测试良率攀升至70%

　　SK海力士在第六代高带宽存储器HBM4的研发上取得了显著进展。据业内消息，SK海力士在HBM4的12层测试中成功将测试良率提升至70%，这一成绩标志着HBM4技术正逐步迈向成熟。

　　自去年以来，HBM4的测试良率便呈现出稳步增长的趋势。SK海力士对制造工艺设定了高标准，以90%后期的可靠性标准来提升良率。

　　同时，该公司还将10nm第五代DRAM“1b”技术应用于HBM4，进一步提升了其性能和稳定性。此前，1b技术已成功应用于HBM3E产品中，并取得了优异的成果。

　　业界专家指出，测试良率达到70%是一个重要的里程碑，预示着HBM4技术即将进入量产阶段。

　　一旦完成技术开发和当前测试的评估，SK海力士将制造并提供样品，以进行客户性能评估。若样品通过评估，HBM4将正式进入大规模生产。

　　此外，有消息称HBM4 12层技术很可能被应用于英伟达下一代AI加速器“Rubin”系列中。这也进一步凸显了SK海力士在HBM4技术研发上的重要性和市场潜力。

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