三星将采用长江存储技术，应对NAND芯片难题

　　近日，三星与长江存储达成一项重要协议，签署了 3D NAND 混合键合专利许可协议。从第 10 代 V-NAND（V10）起，三星将运用长江存储的专利技术，尤其是 “混合键合” 技术。

　　三星计划在 2025 年下半年量产下一代 V10 NAND，这款产品预计堆叠层数高达 420 至 430 层。当芯片堆叠层数超过 400 层时，底层外围电路会承受极大压力，严重影响芯片的可靠性。为攻克这一难题，三星决定在 V10 NAND 中采用 W2W 混合键合技术。该技术通过直接贴合两片晶圆，摒弃传统凸点连接方式，不仅缩短了电气路径，提升了芯片性能与散热能力，还优化了生产效率。

　　其实早在四年前，长江存储便已领先一步，将混合键合技术应用于 3D NAND 制造，并将其命名为 “晶栈（Xtacking）”，同时构建了完备的专利布局。目前在 3D NAND 混合键合关键专利方面，掌握核心技术的公司主要有美国 Xperi、中国长江存储以及中国台湾台积电。三星在相关技术研发上，几乎难以避开长江存储的专利布局。