三星与SK海力士拟自然减产DRAM，中国业者成关键因素

　　据韩媒报道，三星电子和SK海力士计划在2025年升级既有设备、进行制程转换并扩大高带宽存储器（HBM）封装产能，以提高技术竞争力并平抑供需及价格。

　　然而，中国业者扩大DRAM生产可能成为影响这一战略效果的关键因素。

　　三星和SK海力士将把资本支出主要集中于DRAM制程转换及HBM扩产。虽然两家公司计划降低成熟制程DRAM比重，扩大先进制程生产，但先进DRAM的良率较低且制程较复杂，难以立即提高产量。

　　因此，业界预测这两家公司的先进DRAM晶圆投入出货量将低于既有成熟制程，且需要一定时间才能达到较高良率。

　　这一自然减产过程可能导致通用DRAM市场供应减少，造成价格提升。然而，如果国内长鑫存储等业者供应量大幅增加，韩厂以减产带动DRAM价格上涨的策略效果将有限。

　　此外，摩根士丹利报告指出，长鑫存储DRAM产能将在未来几年大幅增长，并可能在2026年左右超越美光成为DRAM市占率全球第三。而福建晋华也以DDR4为主力将月均产能提高至10万片以上。

　　因此，对韩厂而言，人工智能（AI）能否继续带动先进存储器成长将是2025年的业绩关键。虽然市场原本预测的HBM需求有所上调，但供需紧张情势仍将持续。